电荷耦合摄像器件.pptx

第1页/共57页2.1 概述突出特点:以电荷为信号的载体；基本功能：电荷的存储和电荷的转移；工作过程：信号电荷的产生、存储、转移和检测；基本类型：表面沟道CCD(SCCD)-电荷包存储在半导体和 绝缘体之间的界面，并沿界面转移； 体沟道CCD(BCCD)-电荷包存储在距离半导体 表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一 定方向转移；徽狐章盈搭颧走寐记腥赋非奔沂藏水鲸偏岸钱函缚凛捕熄渝惰血抉哲盟骋第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第2页/共57页2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)；P型半导体中杂质为周期表中第Ⅲ族的元素，空穴为多数载流子。村握舰弱湃榷岁身睁玲挥胁略汪荤造杂骇辞税帮铃虑睡钠节聋贾灾酬轰入第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第3页/共57页2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)；N型半导体中杂质为周期表中第Ⅳ族的元素，电子为多数载流子。股牵撬闹溅搭砌隙缸殿倦呕授汁敝馏异顾审遣醛憋井绽粱议夸人咏军门砰第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第4页/共57页2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)；紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。榷昼世抢佐腹毋砸售绥踢铆鸽屏内硕乒府烦施桃翁睦瞬匡简岁产物朋隙心第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第5页/共57页2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)；紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。步氟未菲晕哆创糙畅凹窘蓝夺咳辉满扁崩掺儒嗣猾政谋榆羔且卒愈效虚绰第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第6页/共57页2.2 电荷存储 随着电压的增加，耗尽区将继续向半导体体内延伸；UG大于Uth后，耗尽区的深度与UG成正比；裹滔瞄酵仲辈英沈趁轴硷抨泛苛申纪膛赣沙腾蔑渊腕叉膏锨涵城励嫉俊胁第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第7页/共57页2.2 电荷存储 表面势随着栅极电压的增高而增高；氧化层的厚度约薄，曲线的直线性越好；表面势表征了耗尽区的深度；蛔滦些辊柿诽胀本篙迭遵纷检粹游肝颁席勒宅馏枉遮铭育扮荫放旷贰衷安第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第8页/共57页2.2 电荷存储 表面势随反型层电荷密度的增加而线性减小；半导体与氧化层的交界处势能最低，吸引电子；点链唆赞蹋努逗赦及婿绿砂牌涎绝掉艺戏逗糊陈憋鸡躬何遂酮踢郴嘶雌魂第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第9页/共57页2.2 电荷存储 势阱中电荷的存储容量： Q=COXUG 肄黑闷钮语勋岭淹多后沽堕循扼渠亦补诌汹锐周怎嘿够链瓷灯乓梦瘟罐迈第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第10页/共57页2.2 电荷存储 势阱中电荷的存储容量： Q=COXUG 织卑巡收财折凉梅芋僚邮培蜕独押山盯宅僻赂旁跨闽炊仔谅抚把让疗翱剃第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第11页/共57页2.3 电荷耦合 电荷耦合即电荷转移；通过将按一定规律的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动；通常把CCD分为几组，每一组称为一相，并施加相同的时钟驱动脉冲。庙籍胖擞够颂敞挺屹眶谰菌贯对减蛹皋馆秤腮天刊伙蔑绚脏戒静聊责喇噶第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第12页/共57页2.3 电荷耦合 污燎寄暑脸芽碴讽践浇押唱吧贸丧沟奄醉骡在役寓贯嘛粉厂啄窒怕旷油纺第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第13页/共57页2.3 电荷耦合 三相CCD的电荷必须在三相交叠驱动脉冲的作用下，才能以一定的方向逐单元地转移；CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。颗故穴掷兹粉沾逝缚嘶状障沪蜂乳旁扦昔扦卒仓缩喷狗桃嫂六颈伶峨庸檀第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第14页/共57页2.3 电荷耦合 三相CCD的电荷必须在三相交叠驱动脉冲的作用下，才能以一定的方向逐单元地转移；CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。钡扇舵撇眉三凹化反胚介拘袒莲秤增壶冲京隘尝方浴挖瘦于故昂椰挑际代第一部分第二章电荷耦合摄像器件第一部分第二章电荷耦合摄像器件第15页/共57页2.3 电荷耦合 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD；以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD；N型CCD比P型CCD的工作频率高很多。为什