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第 4 章 半导体的导电性 2.试计算本征 Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为 1350cm2/V?s 和 500 cm2/V?s。当掺入百万分之一的As 后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率比本征 Si 的电导率增大了多少倍？ 解：将室温下Si 的本征载流子密度 1.5?1010/cm3 及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式即得： ? ? 1.5 ?1010 ?1.6 ?10?19 ? (1350 ? 500) ? 4.44 ?10?6 s/cm ； i 已知室温硅的原子密度为 5?1022/cm3，掺入 1ppm 的砷，则砷浓度 在此等掺杂情况下可忽略少子对材料电导率的贡献，只考虑多子的贡献。这时，电子密度n0 因杂质全部电离而等于 ND；电子迁移率考虑到电离杂质的散射而有所下降，查表 4-14 知 n-Si 中电子迁移率在施主浓度为 5?1016/cm3 时已下降为 800 cm2/V?s。于是得 该掺杂硅与本征硅电导率之比 即百万分之一的砷杂质使硅的电导率增大了1.44 亿倍 500g 的 Si 单晶中掺有 4.5?10-5g 的 B，设杂质全部电离，求其电阻率。 （硅单晶的密度为 2.33g/cm3，B 原子量为 10.8）。 解：为求电阻率须先求杂质浓度。设掺入Si 中的B 原子总数为Z，则由1 原子质量单位=1.66?10-24g 算得 4.5 ?10?6 Z ? ? 2.5 ?1018 个 10.8 ?1.66 ?10?24 500 克Si 单晶的体积为V ? 500 ? 214.6 cm3，于是知B 的浓度 2.33 Z 2.5?1018 ∴ N ? ? A V 214.6 ? 1.16 ?1016 cm-3 室温下硅中此等浓度的B 杂质应已完全电离，查表4-14 知相应的空穴迁移率为 400 cm2/V?s。故 设 Si 中电子的迁移率为 0.1 m2/(V.s)，电导有效质量 mC=0.26m0，加以强度为 104V/m 的电场，试求平均自由时间和平均自由程。 解：由迁移率的定义式? c 代入相关数据，得 q? ? n 知平均自由时间 m* c 平均自由程： L n ?? v n d ?? ? ? ? ? 1.48?10?13 ? 0.1?104 ? 1.48?10?10 m n c 截面积为 0.001cm2 的圆柱形纯 Si 样品，长 1mm，接于 10V 的电源上，室温下希望通过 0.1A 的电流，问： ①样品的电阻须是多少？ ②样品的电导率应是多少？ ③应该掺入浓度为多少的施主？ 解：⑴由欧姆定律知其电阻须是 1 L ⑵其电导率由关系R ? 并代入数据得 ? S ⑶由此知该样品的电阻率须是 1??cm。查图 4-15 可知相应的施主浓度大约为5.3?1015 cm-3。若用本征硅的电子迁移率 1350cm2/V?s 进行计算，则 计算结果偏低，这是由于没有考虑杂质散射对的影响。按n =5.3?1015 cm-3 推算，其电子迁移率 0 应为 1180cm2/V?s，比本征硅的电子迁移率略低，与图4-14(a)相符。 因为硅中杂质浓度在 5?1015 cm-3 左右时必已完全电离，因此为获得 0.1A 电流，应在此纯硅样品中掺入浓度为 5.3?1015 cm-3 的施主。 试求本征 Si 在 473K 时的电阻率。 解：由图 4-13 查出T=473K 时本征硅中电子和空穴的迁移率分别是 ? ? 440 cm 2 /V ?s ， ? n p ? 140 cm2 /V?s g在温度变化不大时可忽略禁带宽度随温度的变化，则任意温度下的本征载流子密度可用室温下的等 效态密度 NC(300)和 NV(300)、禁带宽度 E (300)和室温kT=0.026eV 表示为 g 代入相关数据，得 该值与图 3-7 中 T=200℃（473K）所对应之值低大约一个数量级，这里有忽略禁带变窄的因素，也有其他因素（参见表 3-2，计算值普遍比实测值低）。 将相关参数代入电阻率计算式，得 473K 下的本征硅电阻率为 注：若不考虑T=473K 时会出现光学波散射，可利用声学波散射的流子迁移率： 3 ? ? T ? ? T ? 2? ? 1350 ? (300 )3 2 n 473 675 cm2 / V ?s ， ? n ? 500 ? (300 )3 2473 2 255 cm2 / V ?s 将? ? ? n p ? 930 cm2/V?s 置换以上电阻率计算式中的? ? ? n p ? 540 cm2/V?s ，得 截面积为 10-3cm2，掺有浓度为 1013cm-3 的P 型Si 样品，样品内部加有强度为 103V/cm 的电场，求： ①室温时样