半导体物理学(第七版)完整答案.docxVIP

第一章习题 设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 E (k)和价带极大值附近 c 能量 E (k)分别为： V h 2k 2 E （K）= ? C 3m 0 h 2(k ? k )2 1 m 0  ,E (k) ? V h 2k 2 1 6m 0 ? 3h 2k 2 m 0 （1）禁带宽度; 导带底电子有效质量; 价带顶电子有效质量; 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） 晶格常数为 0.25nm 的一维晶格，当外加 102V/m，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： f ? qE ? h ?k 得?t ? ?t ??k qE 补充题 1 分别计算 Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图 1 所示： （a）(100)晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 补充题 2 一维晶体的电子能带可写为 E（k ) ? 式中 a 为 晶格常数，试求 布里渊区边界； 能带宽度；  ? 2 ma 2  ( 7 ? cos ka ? 1 cos 2ka) ， 8 8 电子在波矢 k 状态时的速度； 能带底部电子的有效质量m * ； n 能带顶部空穴的有效质量m * p dE(k ) 解：（1）由 ? 0 得 k ? n? dk a （n=0，?1，?2…） k ? 2n 进一步分析k ? (2n ? 1) ? a ? 时，E（k）有极小值 a ?  ，E（k）有极大值， 所以布里渊区边界为k ? (2n ? 1) a (2)能带宽度为 E（k )  MAX E(k )  MIN ? 2? 2 ma 2 (3）电子在波矢k 状态的速度v ? 1 dE ? ? (sin ka ? 1 sin 2ka) 电子的有效质量 ?2n? ? 能带底部 k a  所以m* n ? dk ma 4 ? 2m (5)能带顶部 k ? (2n ? 1)? ， a 且 m* p ? ?m* ， n 2m 所以能带顶部空穴的有效质量m* ? p 3 半导体物理第 2 章习题 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 以 As 掺入 Ge 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 As 有 5 个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge 原子形成共价键，还剩余一个电子，同时 As 原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以， 一个 As 原子取代一个 Ge 原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子. 多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚， 成为在晶格中导电的自由电子，而 As 原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或 N 型杂质，掺有施主杂质的半导体叫 N 型半导体。 以 Ga 掺入 Ge 中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和 p 型半导体。 Ga 有 3 个价电子，它与周围的四个Ge 原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在 Ge 晶体的共价键中产生了一个空穴，而 Ga 原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个 Ga 原子取代一个 Ge 原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴，空穴束缚在 Ga 原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而 Ga 原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主型杂质的半导体叫P 型半导体。 以 Si 在 GaAs 中的行为为例，说明 IV 族杂质在 III-V 族化合物中可能出现的双性行为。 Si 取代 GaAs 中的 Ga 原子则起施主作用； Si 取代 GaAs 中的 As 原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代 Ga 原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代 As 原子起受主作用。 举例说明杂质补偿作用。 当半导体中同时存在施主和受主杂质时， 若（1） N N D A 因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到 N A 个受主能级 上