半导体物理学复习提纲(重点).docxVIP

第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念 绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度； 本征激发的概念 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 导带底和价带顶附近的E(k)~k 关系 E ?k ?-E ?0?= h2 k 2 ； 2m* n 半导体中电子的平均速度v ? dE ； hdk 1有效质量的公式： ? 1 d 2 E 。 m* h2 n dk 2 §1.4 本征半导体的导电机构 空穴 空穴的特征：带正电； m? p ? ?m? ； E n n ? ?E ； k p p ? ?k n §1.5 回旋共振 §1.6 硅和锗的能带结构导带底的位置、个数； 重空穴带、轻空穴 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。 §2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级杂质的双性行为 第三章 半导体中载流子的统计分布 热平衡载流子概念 §3.1 状态密度 定义式： g(E) ? dz / dE ； 导带底附近的状态密度： g  (E) ? 4? V  2m* ?n ? ?3 / 2  ?E ? E  ?1/ 2 ； c h3 ? c ?3 / 2 价带顶附近的状态密度： g (E) ? 4? V v §3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 2m* p h3 ?E ? E ?1/ 2 V Fermi 分布函数： f (E) ?  1 ? exp ?? 1 ?E ? E F ?/ k T ? ?；0 ? ； Fermi 能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有 关。1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级 E 是系统的化学势；2）E F F 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。3） E 的位置比较直观地标志了电子占据量子 F 态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 0E ? EF 0 ；Boltzmann 分布函数： f ； B (E) ? e k T 导带底、价带顶载流子浓度表达式： ? ?3 E ? E 2? m* k T 2 n ? N 0 c exp F c ， k T 0 N ? 2 c n h3 ? ?3 导带底有效状态密度 E ? E 2? m? k T 2 p ? N 0 v exp v F k T 0 ， N ? 2 v p 0 价带顶有效状态密度 h3 ? E ? E ? ? E ? ?载流子浓度的乘积n p ? ? N N exp? ? C V ? ? N N exp? ? g ? 的适用范围。 ???0 0 C V ? ? ? k T C V k T 0 0 §3.3. 本征半导体的载流子浓度 本征半导体概念； 本征载流子浓度： n ? n ? p ? (N N ) i 0 0 C V  ? E ? 1??2 exp? ? 2 g ? ； 1 ? ? k T 0 载流子浓度的乘积n p ? n 2 ；它的适用范围。 0 0 i §3.4 杂质半导体的载流子浓度 1 电子占据施主杂质能及的几率是 f D (E) ? 1 ? E ? E ? 2??1 ? exp D F 2 ? ? ??k T ? ? 0 空穴占据受主能级的几率是 f (E) ? A 1 1 ? E ? E ? ??1 ? 2 exp???F A ? ? ? 施主能级上的电子浓度n  为： n  ? N f k T 0 ?? ND ? ?D D D D ? 1 ? E E ? 受主能级上的空穴浓度 p 为 p  ? N f  ??(E) ? ? ? 1 ? exp D F 2??k T 2 ? ? 0 N A A A A A 1? 1 exp? E ? E ? 2 ? F A ? 电离施主浓度n D  为： n ? D k T 0 ? N ? n D D 电离受主浓度 p 为： p ? A A ? N ? p A A 费米能级随温度及杂质浓度的变化 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 §3.6. 简并半导体 1、重掺杂及简并半导体概念； 2、简并化条件(n 型)： E ? E C F ? 0 ，具体地说：1）N D 接近或大于N C 时简并；2）ΔE 小， D 则杂质浓度N 较小时就发生简并；3）杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽；4）简并 D 时杂质没有充分电离；5）简并半导体的杂质能级展宽为能带，带隙宽度会减小。 3