电子技术基础（第六版）模拟部分教学课件（共11章完整版）.pptx

《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;1 绪论;1.1 信号;1.1 信号;1.2 信号的频谱;1.2 信号的频谱;1.2 信号的频谱;1.2 信号的频谱;1.3 模拟信号和数字信号;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.4 放大电路模型;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;1.5 放大电路的主要性能指标;《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;2 运算放大器;2.1 集成电路运算放大器;2.1 集成电路运算放大器;2.1 集成电路运算放大器;2.1 集成电路运算放大器;2.1 集成电路运算放大器;2.2 理想运算放大器;2.3 基本线性运放电路;2.3.1 同相放大电路;2.3.1 同相放大电路;2.3.1 同相放大电路;2.3.1 同相放大电路;电压跟随器的作用;2.3.2 反相放大电路;2.3.2 反相放大电路;2.3.2 反相放大电路;当R2 R3时， （1）试证明Vs＝( R3R1/R2 ) Im ; 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用;2.4.1 求差电路;2.4.1 求差电路;2.4.1 求差电路;2.4.1 求差电路;2.4.2 仪用放大器;2.4.3 求和电路;2.4.4 积分电路和微分电路;2.4.4 积分电路和微分电路;2.4.4 积分电路和微分电路;《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识;3.1.1 半导体材料;3.1.2 半导体的共价键结构;3.1.3 本征半导体;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性;3.2.1 载流子的漂移与扩散;3.2.2 PN结的形成;3.2.2 PN结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.4 PN结的反向击穿;3.2.5 PN结的电容效应;3.2.5 PN结的电容效应;3.3 半导体二极管;3.3.1 二极管的结构;3.3.1 二极管的结构;3.3.1 二极管的结构;3.3.2 二极管的I-V特性;3.3.3 二极管的主要参数;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2．模型分析法应用举例;（3）限幅与钳位电路; 电路如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sin?t V，且Vm VD ，绘出相应的输出电压vO的波形。;（4）开关电路;（6）小信号工作情况分析;3.5 特殊二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电器件;3.5.4 光电器件;3.5.4 光电器件;3.5.4 光电器件;《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;4 场效应三极管及放大电路;场效应管的分类：;4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理; 当VDS增加到使VGD=VTN 时，在紧靠漏极处出现预夹断。;预夹断后，VDS?;（3）VDS和VGS同时作用时;以上分析可知;3. I-V 特性曲线及大信号特性方程;② 可变电阻区 vDS （vGS－VTN）;② 可变电阻区