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- 模拟电路根底复习资料 一、填空题 1．在P型半导体中，多数载流子是〔 空隙 ，而少数载流子是〔 自由电子 。 2．在N 型半导体中，多数载流子是〔 电子 ，而少数载流子是〔空隙 。 3．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接〔N〕区，电源的负极应接〔P 〕区。 4．当PN 结正向偏置时，电源的正极应接〔P 〕区，电源的负极应接〔N 〕区。 5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结〔正向〕偏置，集电结〔 反向〕偏置。 U  ( 1) 6．根据理论分析，PN 结的伏安特性为I I eUT ,其中 被称为〔 反向饱和I S S 电流，在室温下U 约等于〔 26mV 。 T 7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极〔 漏极 、〔栅极 〕和〔 源 极 〕与之对应。 8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用〔 电压取样 〕负反应，为稳定输出电流，应采 用〔 电流取样 〕负反应。 9．在负反应放大器中，为提高输入电阻，应采用〔串联－电压求和〕负反应，为降低输出 电阻，应采用〔 电压取样 〕负反应。 10. 放大器电路中引入负反应主要是为了改善放大器〔 的电性能 。 11．在BJT放大电路的三种组态中，〔共集电极〕组态输入电阻最大，输出电阻最小。〔共 射 〕组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。 12. 在BJT放大电路的三种组态中，〔共集电极 〕组态的电压放大倍数小于1，〔共基 组态的电流放大倍数小于1。 A 13．差分放大电路的共模抑制比K ＝ 〔20lg u ，通常希望差分放大电路的共模抑 CMR A C 制比越〔大 〕越好。 14．从三极管部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区〔高掺杂 ，二是基区很〔薄 并掺杂浓度〔最低 。 15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数A 将〔 不变 ，而共 d 模放大倍数A 将〔 减小 ，共模抑制比将〔 增大 。 c 16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有〔阻容 ，〔变压器〕和〔直接〕耦合三种。 17．直接耦合放大器的最突出的缺点是〔零点漂移 。 18，集成运放主要由〔 输入级 ，〔中间放大级 ，〔输出级 〕和〔 偏置电路 4 局部 组成。 19．BJT三极管的直流偏置电路通常有〔 固定基流 〕电路和〔 分压式 〕电路两种。   A   20．负反应放大电路增益的一般表达式A   ,当1AF 1时，这种反应称 f 1AF   为〔 负反应 ；当1AF 1时，这种反应称为〔 正反应 。 . z. - 21 ．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0 ，即  0，将这种现象称