晶体三极管的伏安特性曲线.pptxVIP

1  输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路，此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 一、输入特性曲线 第1页/共44页 2 输入特性曲线簇 第2页/共44页 3 （2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时，在相同的UBE值条件下，流向基极的电流IB减小，即特性曲线右移， 总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结（放大模式下） 第3页/共44页 4 1.3.4 特性曲线 IC V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 第4页/共44页 5 一、输入特性 工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 第5页/共44页 6 二、输出特性曲线 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时，Ic和UCE间的关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 第6页/共44页 7 二、输出特性 IC(mA ) 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。 第7页/共44页 8 此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。 第8页/共44页 9 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 第9页/共44页 10 输出特性曲线簇 第10页/共44页 11 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC =   IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IBIC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 第11页/共44页 12 1、截止区： 晶体管工作在截止模式下，有： UBE0.7V，UBC0 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。 第12页/共44页 13 2、放大区 晶体管工作在放大模式下 : UBE 0.7V, UBC 0，此时特性曲线表现为近似水平的部分，而且变化均匀，它有两个特点： ① Ic的大小受IB的控制；ΔIcΔIB； ② 随着UCE的增加，曲线有些上翘。 此时 : ΔIcΔIB，管子在放大区具有很强的电流放大作用。 第13页/共44页 14 结论： 在放大区，UBE 0.7V，UBC 0，Je正偏，Jc反偏，Ic随IB变化而变化，但与UCE的大小基本无关。 ΔIcΔIB，具有很强的电流放大作用！ 第14页/共44页 15 3、饱和区： 晶体管工作在饱和模式下： UBE0.7V，UBC0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的上升部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变， 第15页/共44页 16 一般规定： 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和； 饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。 第16页/共44页 17 4、击穿区 随着UCE增大，加在JE上的反向偏置电压UCB相应增大。 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电流Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 造成击穿的原因： 由于集电结是轻掺杂的，产生的反向击穿主要是雪崩击穿，击穿电压较大。除此之外，在基区宽度很小的三极管中，还会发生特有的穿通击穿，即：当UCE增大时，UCB相应增大，导致集电结Jc的阻挡