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氧化原理;加热器;氧化过程;氧化物生长速率;氧化物生长曲线;影响二氧化硅生长的因素;常规氧化工艺;常规氧化工艺;氢氧合成氧化工艺;
热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况
;在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷：
1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。
2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。
3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。
4. 陷阱电荷：由辐射产生。;在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其优点：
1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累
2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污;不掺氯热氧化层
1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度：
3×1012～1×1013/cm2
2. 固定电荷密度： 1×1012/cm2
掺氯热氧化层
1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度：
2×1010～1×1011/cm2
2. 固定电荷密度： （1～3）×1011/cm2;氧化消耗硅;选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS
（LOCal Oxidation of Silicon）;三种热氧化层质量对比;1. 结构及质量：热生长的比沉积的结构致密， 质量
好。
2. 成膜温度：热生长的比沉积的温度高。
可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。
3. 硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。
; SiO2层的质量检查;■ 通过颜色的不同可估算SiO2 层厚度 ;SiO2结构、性质和用途;物理性质
;SiO2的化学性质
无论是结晶型或无定型的二氧化硅，都有很高的化学稳定性，它不溶于水，只能和氢氟酸发生化学反应。在高温下，能使活泼的金属或非金属还原。
;SiO2在集成电路中的用途
1. 栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）
2. 场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）
3. 保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长）
4. 注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂
（热生长）
5. 垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长）
6. 注入缓冲层：减小离子??入损伤及沟道效应（热生长）
7. 层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积）;氧化层应用的典型厚度;高温炉设备;氧化设备;;立式炉系统;高温炉的组成
1、工艺腔
2、硅片传输系统
3、气体分配系统
4、温控系统
5、尾气系统;快速热处理;RTP的应用
1. 注入退火以减小注入损伤和杂质电激活
2. 沉积氧化膜增密
3. 硼磷硅玻璃（BPSG）回流
4. 阻挡层退火（如TiN）
5. 硅化物形成（如TiSi2）
6. 接触合金;;谢谢您的观看！
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