第1章 半导体二极管及其基本电路模拟电子技术（第三版）教学课件.pptVIP

（2）扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 外加电压不同情况下，P、N区少子浓度的分布将发生变化，扩散区内电荷的积累与释放过程与电容充放电过程相同，这种电容等效为扩散电容。 特别提醒 势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。 外加电压变化缓慢时（为低频信号）可以忽略，但是变化较快时（高频信号）不容忽略。 1.2　半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 1.2.3 温度对二极管伏安特性的影响 1.2.4 半导体二极管的主要参数 1.2.6 半导体二极管的模型 1.2.5 半导体器件的型号及二极管的选择 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： A (Anode) C (Cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 正极引线 负极引线 集成电