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1 三极管三种工作模式 发射结正偏，集电结反偏。 放大模式： 发射结正偏，集电结正偏。 饱和模式： 发射结反偏，集电结反偏。 截止模式： 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。 三极管内部结构特点 1)发射区高掺杂。 2)基区很薄。 3)集电结面积大。 第1页/共50页 2 2.1　放大模式下三极管工作原理 2.1.1　内部载流子传输过程 IEn IEp IBn ICn ICBO IE IC IB 第2页/共50页 3 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 发射区掺杂浓度 基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。 第3页/共50页 4 三极管特性——具有正向受控作用 　　即三极管输出的集电极电流 IC ，主要受正向发射结电压 VBE 的控制，而与反向集电结电压 VCE 近似无关。 注意：NPN 型管与 PNP 型管工作原理相似，但由于它们 　　　形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流 　　　方向相反，加在各极上的电压极性相反。 第4页/共50页 5 观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。 2.1.2　电流传输方程 三极管的三种连接方式——三种组态 (共发射极) (共基极) (共集电极) 放大电路的组态是针对交流信号而言的。 第5页/共50页 6 共基极直流电流传输方程 共基极直流电流传输系数： 直流电流传输方程： 共发射极直流电流传输方程 其中： 第6页/共50页 7 第7页/共50页 8 ICEO 的物理含义： 　　ICEO 指基极开路时，由集电极直通到发射极的电流。 ∵ IB = 0 ∴ IEp+ (IEn- ICn) = IE - ICn = ICBO 因此 第8页/共50页 9 三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式： 2.1.3　放大模式下三极管的模型 数学模型(指数模型) IS 指发射结反向饱和电流 IEBS 转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流 IS。　 式中 第9页/共50页 10 放大模式直流简化电路模型 VBE(on) 为发射结导通电压，工程上一般取： 第10页/共50页 11 三极管参数的温度特性 温度每升高 1C，/ 增大(0.5  1)%，即 温度每升高 1 C ，VBE(on) 减小 (2  2.5) mV，即 温度每升高 10 C ，ICBO 增大一倍，即 第11页/共50页 12 2.2　晶体三极管的其他工作模式 2.2.1　饱和模式(E 结正偏，C 结正偏) - + + - 结论：三极管失去正向受控作用。 第12页/共50页 13 饱和模式直流简化电路模型 若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。 第13页/共50页 14 2.2.2　截止模式(E 结反偏，C 结反偏) 若忽略反向饱和电流，三极管 IB  0，IC  0。 即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。 截止模式直流简化电路模型 第14页/共50页 15 2.3　埃伯尔斯—莫尔模型 　　埃伯尔斯—莫尔模型是三极管通用模型，它适用于任何工作模式。 其中 第15页/共50页 16 2.4　晶体三极管伏安特性曲线 　　伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。 第16页/共50页 17 输入特性曲线 VCE 一定： 类似二极管伏安特性。 VCE 增加： 正向特性曲线略右移。 由于 VCE = VCB + VBE WB 注：VCE 0.3 V 后，曲线移动可忽略不计。 因此当 VBE 一定时： VCEVCB  复合机会   IB   曲线右移。 第17页/共50页 18 输出特性曲线 饱和区(VBE  0.7 V，VCE 0.3 V) 特点： 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 IC 不受 IB 控制，而受 VCE 影响。 VCE 略增，IC 显著增加。 　　输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 第18页/共50页 19 放大区(VBE  0.7 V， VCE 0.3 V) 特点 条件 说明 第19页/共50页 20 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流 IC 的修正方程 基宽 WB 越小调制效应对 IC 影响越大则V