半导体温度计的设计与制作-5页文档资料.pdfVIP

3.5.3 半导体温度计的设计与制作 （本文内容选自高等教育出版社《大学物理实验》） 虽然热敏电阻对温度非常灵敏，但通常每个元件可适用的范围都不太宽，所以应根据 所要测量的温度的上、下限和温度范围的高低选用具有合适阻值和 B 值的元件以及相应的 测温电路。元件的 B 值越高，其电阻温度系数越大，可测量的范围越窄。表 3.5.3-1 给出 了不同热敏电阻的适用范围和对应的 B 值。 表 3.5.3-1 不同热敏电阻的适用范围和对应的 B 值 适用的温度范围 对应的 B 值 T=23~173K B=200~1000K T=173~573K B=1500~6000K T=573~973K B=8000~10000K T973K B10000K 由上表可知，测量低温采用 B 小的元件，测量高温采用 B 大的元件。通常选用电阻值 2 6 ，因为电阻值太小灵敏度低，电阻值太大则会引起电绝缘和测量线路匹配困 R 10 ~10  难。在各种热敏电阻的测温电路中，以分压电路和桥式电路的应用最广。本实验要求测试 温度在 20~70 ℃的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路（或选用你认为更好的 测温电路）来设计一半导体温度计。 实验原理 半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热 敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。这种测量方法为非电量的电测法， 它可以将各种非电量，如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量，如电阻、 电压、电流、电感和电容等，然后用电学仪器来进行测量。 由于金属氧化物半导体的电阻值对温度的反应很灵敏（参见实验 3.5.2），因此可以作为温 第 1 页 敏传感器。 为实现非电量的电测法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻 的伏安特性。由图 3.5.3-1 可知，在 V-I 曲线的起始部分，曲线接近线性，这是因为电流 小时在热敏电阻上消耗的功率不足以显著地改变热敏电阻的温度，因而符合欧姆定律。此 时，热敏电阻的阻值主要与外界温度有关，电流的影响可以忽略不计。 半导体温度计测温电路的原理图如图 3.5.3-2 所示（仅供参考），图中Ｇ是微安计，R T R R 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件 1  3 ，若取 R =R ，则 R R 1 2 2 T R 的数值即为 R 的数值。平衡后，若电桥某一臂的电阻又发生改变（如R ），则平衡将受到 3 T T 破坏，微安计中将有电流流过，若电桥电压，微安计内阻 R ，电桥各臂电阻R 、R 、R 已定， G 1 2 3 就可以根据微安计的读数 I 的大