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利用平缓山坡设置回头曲线 利用山沟溪谷交会处布设回头曲线 利用山坳设回头曲线。 回头展线实例 山东省青州市牛角岭段盘山公路 回头展线实例 黑龙江省路桥公司承建——非洲肯尼亚卡-坦公路 (Kabarnet-Tambach Highway) 回头曲线布置不理想实例 恶劣地形的路线 恶劣地形的路线 具有瓶颈形凹处或有圆形山包时可进行螺旋展线。路线绕凹处或山包一周集中地提高或降低高度。 ③ 螺旋展线 西安汉中高速 土石方量小 视距好 水文和地质条件好 人工构造物少 建筑材料和水源缺乏 施工困难 线路坡度大 高差大 1.3.5.3 山脊线的选线 山脊线:沿着分水岭顶部布设的路线。 山脊线的特点 沿着宽阔平缓的山脊升坡越岭 在两垭口间布置 如有可能利用分山岭,可采用山脊线作比较方案。 (一) 山脊线布局 (二)山脊线的选线主要解决三个问题: 控制垭口的选择 侧坡的选择 在控制点间布线 1.3.5.4 山坡线的选线 山坡线:沿着山坡布设的路线。 山坡线的特点: 局部坡度大 地质条件好 不受洪水威胁 桥涵少 防护工程大 对陡峭山坡布线困难 图1-20 山坡线的路基 (一) 山坡线布局 一般山坡的下部比上部平缓开阔,路线走下部较有利。阳坡日照多、气温高、雨后易干燥、地质稳定、地形平缓、居民点多,所以一般尽量在阳坡布线。 地质条件是山坡线选线的一个重要因素。路线应避开严重不良的地质地带。从路基边坡稳定的要求考虑,路线应在稳定的基层上通过。 稳定路基 不稳定路基 (二) 山谷布线 若山谷不深,就不宜迁就小曲折而使路线过于弯曲,路线应采用顺直越岭的山坡线。 山坡线遇到宽而深的山谷时,宜随较大的曲折布线,在这种情况下,如果为了线形而强行拉直,则会大大增加土石方量和涵洞的数量,同时高填深挖也使路基边坡不稳定,所以直穿是不合适的。 图1-21 山爪布线示意图 (三) 山爪布线 山爪是鸡爪形山坡,由连续的山嘴山凹组成,这种地形无法按图1-21中的虚线绕弯,只能以山凹的断面为控制,切山嘴填山凹(如图1-21中的实线所示) 讨 论 时 间 课后思考题 1、简述沿溪线的特点及布局要点 2、选择桥位时应考虑哪些因素? 3、简述越岭线的特点及布局要点 4、简述山脊线的特点 第三章 场效应管 主要内容 概述 场效应管的工作原理 场效应管特性曲线 3.3 场效应管的使用注意事项 3.4 场效应管的等效电路 3.5 场效应管电路的分析方法 第三章 场效应管 3.0 概 述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别: 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 场效应管受温度的影响小(只有多子漂移运动形成电流) 一、场效应管的种类 第三章 场效应管 按结构不同分为 绝缘栅型场效应管MOSFET 结型场效应管JFET P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 MOSFET (按工作方式不同) 耗尽型(DMOS) 增强型(EMOS) 沟道:指载流子流通的渠道、路径。N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径;P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。 第三章 场效应管 二、场效应管的结构示意图及其电路符号 JFET结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N沟道JFET P沟道JFET N + N + P G S D 返回 耗尽型场管的结构示意图及其电路符号 第三章 场效应管 S G U D ID S G U D ID P P + N + S G D U N + N沟道DMOS N N + P + S G D U P + P沟道DMOS DMOS管结构 VGS=0时,导电沟道已存在 返回 第三章 场效应管 增强型场管的结构示意图及其电路符号 P P + N + N + S G D U N N + P + S G D U P + S G U D S G U D 返回 场效应管的电路符号 第三章 场效应管 S G D S G D S G U D ID S G U D ID U S G D ID S G U D ID NEMOS NDMOS PDMOS PEMOS MOS场效应管MOSFET 结型场效应管JFET 返回 总结 总结: 第三章 场效应管 场效应管的电路符号可知:无论是JFET
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