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(5) 履带式常压CVD装置 为了适应集成电路的规模化生产，同时利用硅烷（SiH4）、磷烷（PH3）和氧在400℃时会很快反应生成磷硅玻璃(SiO2·xP2O5复合物)，就设计了如图4.13所示的履带式装置，衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。用这一装置也可以生长低温氧化硅薄膜等。 化学气相沉积(2)全文共110页，当前为第95页。 图4.13 履带式常压CVD装置 化学气相沉积(2)全文共110页，当前为第96页。 (6) 模块式多室CVD装置 制造集成电路的硅片上往往需要沉积多层薄膜，例如沉积Si3N4和SiO2两层膜或沉积TiN和金属钨薄膜。以往的装置一般为单式批量，即，只有一个反应室，每批处理单片或多片，装卸基片时反应室暴露，大气成分吸附在反应室内壁和室内零部件表面你，将对工艺过程产生不良影响。 为了解决这些问题，多室CVD装置应运而生，这种模块式的沉积反应可以拼装组合，分别在不同的反应室中沉积不同的薄膜，见图4.14。各个反应器之间相互隔离利用机器手在低压或真空中传递衬底硅片。因此可以一次连续完成数种不同的薄膜沉积工作，可以把普通的CVD和PECVD组合在一起，也可以把沉积和干法刻蚀工艺组合在一起。 化学气相沉积(2)全文共110页，当前为第97页。 图4.14 模块式CVD装置 化学气相沉积(2)全文共110页，当前为