化学气相沉积.pptVIP

PECVD可以显著降低反应温度，例如用TiCl4和 CH4靠常规加热沉积TiC膜层的温度为1000～1050℃；而采用PECVD法，可将沉积温度降至500 ～600 ℃。 PECVD具有成膜温度低、致密性好、结合强度高等优点，可用于非晶态膜和有机聚合物薄膜的制备。 化学气相沉积全文共45页，当前为第32页。 激光化学气相沉积（LCVD） LCVD是指利用激光光子的能量激发和促进化学反应，来实现薄膜沉积的技术。 所用的设备是在常规CVD设备的基础上，添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。 化学气相沉积全文共45页，当前为第33页。 与常规CVD相比， LCVD可以大大降低衬底的温度，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。 与PECVD相比， LCVD可以避免高能粒子辐照对薄膜的损伤，更好地控制薄膜结构，提高薄膜的纯度。 化学气相沉积全文共45页，当前为第34页。 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） MOCVD是常规CVD技术的发展。它与常规CVD的区别仅在于使用有机金属化合物和氢化物作为原料气体。 MOCVD的主要特点是沉积温度低，所以也称中温CVD。 其缺点是沉积速率低、晶体缺陷密度高、膜中杂质多。 化学气相沉积全文共45页，当前为第35页。 采用MOCVD可制备各种各样的材料，包括单晶外延膜、多晶膜和非晶态膜。但最重要的应用是Ⅲ～Ⅴ族及Ⅱ～Ⅵ族半导体化合物材料的气