Ga-Cd-O的电子结构和光学性质的第一性原理计算.docx

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2022-09-16 发布于河北
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随着科学技术的快速发展，半导体材料在光电器件、集成电路、光伏应用等领域有着广泛的应用[1-4]，深受人们关注。β-Ga2O3作为新一代宽禁带半导体材料具有良好的热稳定性、化学稳定性、高击穿电压及在可见光和紫外光区的高透过率等优异性能，在纳米材料、日盲紫外探测器和高功率器件等方面具有广阔的应用前景[5-7]，因此引起了科研人员的广泛关注，成为了当前的研究热点。 β-Ga2O3器件的能带结构与它的光电性能有密切联系，通过不同元素及不同含量的掺杂，可以灵活地设计材料体系。近年来，Ga2O3材料的研究开始从单一薄膜的制备向合金化材料转变。Bhuiyan等[8]通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在整