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泓域咨询/半导体硅片项目可行性分析报告
半导体硅片项目
可行性分析报告
xx有限责任公司
报告说明
外延片常在CMOS电路中使用,如通用处理器芯片、图形处理器芯片等,由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低,提高了栅氧化层的完整性,改善了沟道中的漏电现象,从而提升了集成电路的可靠性。除此之外,通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层,应用于二极管、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中,硅衬底的低电阻率可降低导通电阻,高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性,并减少了器件的能耗,因此在工业电子
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