365 nm光刻照明系统中变焦系统的设计及公差分析.docx

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2022-09-23 发布于河北
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0.?? 引　言自20世纪80年代，16兆DRAM的产生，标志着世界开始进入超大规模集成电路（VLSI）阶段，VSLI成为所有高科技领域发展的基础[1]。集成电路的集成度按照摩尔定律（Moores Law）增长，每隔18~24个月电路上承载的元件数量就会增加一倍，到2014年，英特尔宣布了行业首个14 nm处理器，摩尔定律还将继续驱动集成电路的发展。先进的超大规模集成电路的制造是一个庞大的系统工程，它包括五个制造阶段：（1）硅片制备：包括晶体生长、滚圆、切片及抛光等工序；（2）硅片制造：包括硅片清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等工序；（3）硅片测试：通过测试识别有缺陷的芯片，使其被淘汰而不进入下