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目前,二维材料红外探测器的局域场调控技术主要包含引入局域电场、光场以及温度场调控[1-3]。其中,局域电场包括引入铁电场、浮栅、分裂栅、层间内建场等。例如,Gomez等人[1]选取具有双极型的单层二硒化钨,在六方氮化硼电介质下方构建分裂栅电极(器件结构如图1(a)所示),通过两侧电极不同的栅压配置,调控两电极附近区域的载流子类型和浓度,实现了图1(b)中二硒化钨p-n、n-n、p-p、n-p四种结形态。由于p-n结具有的整流特性,在相同偏置电压下,流过p-p、n-n结的电流是p-n、n-p结的1000倍以上,在此状态下工作的光电探测器具有极低的暗电流,器件的开关电流比显著提高;局域光场调控手段
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