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泓域咨询/南京分立器件研发项目建议书
报告说明
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率,有逆变和变频的作用,可以应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
根据谨慎财务估算,项目总投资48564.49万元,其中:建设投资36550.94万元,占项目总投资的75.26%;建设期利息736.61万元,占项目总投资的1.52%;流动资金11276.94万元,占
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