单晶生长操作规程讲解.pptVIP

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第1页,共14页,编辑于2022年,星期二 2.抽真空,检漏: a.各处密封圈务必清理洁净. b.真空泵正确的关闭与开启. c.炉子漏气率的关键性. Q=(P1-P2)XV/TR 3.拉晶的实践过程: 早先: 真空拉晶--常压拉晶--减压拉晶 对目前的炉内拉晶压力要求在8-15turo2700 第2页,共14页,编辑于2022年,星期二 4.热量传递的三种方式: ① 传导 ② 对流 ③ 辐射 5.熔料: ①加热与保温 ②正确的使用加热功率,不破坏石英坩埚与石墨坩埚的使用寿命,不破坏其结构。 ③在化料过程中,坩埚的位置放置的重要性。 ④拉晶的时间越长,拉晶的困难就越大。 第3页,共14页,编辑于2022年,星期二 6.熔体的对流: ①自然对流. ②强迫对流---旋流. ③强迫对流---逆流. ④表面张力对流. 7.Dash缩颈(无位错单晶生长技术) 位错的特性:位错是一种线性缺陷,是由几个原子大小的线性管道,位错线附近原子发生严重错排和畸变。 位错分为:棱位错 螺行位错 混合位错 第4页,共14页,编辑于2022年,星期二 8.缩颈的要点: ①下降过程中不要急于接触到高温(分段下降). ②籽晶与熔体要在合适的温度下充分良好的接触. ③细颈(Ф4--5mm, L=150mm) 9.能量守恒方程式: ? Qn+Ql=Qm+Qc Qn:加热器提供的系统热量 Ql:晶体结晶时释放的潜热 Qm:熔体表面损失的热量 Qc:晶棒表面通过热辐射与对流将热量损失到外围 第5页,共14页,编辑于2022年,星期二 ? LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 结晶潜热 V 生长速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面积 KL 液体热传导系数 dTL /dx 临近界面 KS 固体热传导系数 10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ②恒定降温方式 . 第6页,共14页,编辑于2022年,星期二 11.转肩与等径: ①转肩时的大小与拉速(2--4mm/min). ②降低拉速,跟进埚跟比和随动. ③确认等径参数,投入自动. ④断棱和回熔 12.收尾与停炉: ①根据埚底料的多少判断是否要收尾. ②控制温度和拉速. ③降功率、停炉冷却. ④整个拉晶过程的记录。 第7页,共14页,编辑于2022年,星期二 拉晶过程中常见事故和处理 A 停水 a 发生停水时,立即检查(自动打开的)或打开停水炉子的事故水进水阀。 ① 关闭加热功率, ② 复位控制柜面板上单晶生长控制器,使其处于手动状态, ③降低埚位到熔料埚位, ④关闭埚转。 第8页,共14页,编辑于2022年,星期二 b 停水后水压恢复 ①冷却水恢复供应时,立即检查(自动打开的)或关闭事故水阀门,监控水压,有异常及时报告。 ②水压恢复时,炉内无严重氧化现象,熔体未结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚未破裂,按加热功率开,调节功率到熔料功率。 ③启动埚转,设定为2转/分,打开埚转前,确保埚转电位器处于零位。 ④熔化结晶面,在此期间应密切炉内有无严重 第9页,共14页,编辑于2022年,星期二 氧化现象,注意硅料液面熔化情况,一旦发生严重氧化现象、硅液面下降,立即停炉并报告。 ⑤晶体处理同晶变单晶一致,待结晶全熔后,手动调节功率为引晶功率,温度稳定后开始引晶。 c 停水后水压无法恢复,或恢复时结晶大于10分钟 ①快速提升晶体或籽晶,距液面150mm。 ②待熔体结晶15分钟时,快速提升坩埚并顶起导流筒100mm。 ③停炉,充分冷却后拆炉。 第10页,共14页,编辑于2022年,星期二

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