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School of Microelectronics 半导体中载流子的输运现象 第1页，共36页，编辑于2022年，星期二 第四章 半导体中载流子的输运现象 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系 4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 4.4 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 4.5 连续性方程 第2页，共36页，编辑于2022年，星期二 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 一、漂移速度与迁移率 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方 向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 第3页，共36页，编辑于2022年，星期二 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n。 在其中取相距为 的A和B两 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为 ， 这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义 与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密 度，用J表示，那么 图4.1 平均漂移速度分析模型 第4页，共36页，编辑于2022年，星期二 已知欧姆定律微分形式为 σ为电导率，单位S/cm。