2012-2017年武汉纺织大学《816电子技术基础》历年考研真题汇总.pdfVIP

2012-2017年武汉纺织大学《816电子技术基础》历年考研真题汇总.pdf

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武汉纺织大学 2012 年招收硕士学位研究生试卷 科目代码 816 科目名称 电子技术基础 考试时间 2012 年1 月8 日下午 报考专业 1、试题内容不得超过画线范围,试题必须打印,图表清晰,标注准确。 2 、试题之间不留空格。 3、答案请写在答题纸上,在此试卷上答题无效。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分 得分 本试卷总分150 分,考试时间3 小时。 一、 单项选择题(每小题2 分,共40 分。每小题的备选答案中只有一个最符合 题意)。 1. 当晶体管的温度升高时, 晶体管的ICEO 将( )。 a.、基本不变 b 、减小 c、 增大 d、随机不定 2. 如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入A 、B 和输出Y 的波形图,这个门电路是 ( )。 a.、与门 b 、或门 c、异或门 d、同或门 3. 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的三个电极的电位分别为:5.3V,2.2V , 和6.0V;则该晶体管的类型为( )。 a、PNP 型硅管 b 、PNP 型锗管 c、NPN 型锗管 d、NPN 型硅管 4. 场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。 a、栅极电流 b 、栅源电压 c、漏源电压 d、栅漏电压 共 页;第 1 页 共 页 第 页 5、单管共发射极放大电路的电压放大倍数( )。 a、Au=1 b 、Au <0 c、Au >1 d、0<Au <1 6、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。 a、耦合电容和旁路电容的存在 b 、放大电路的静态工作点不合适 c、半导体管极间电容和分布电容的存在 d、半导体管的非线性特性 7、在放大电路设计中,欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电压,应在 放大电路中引入( )。 a、电压串联负反馈 b 、电压并联负反馈 c、电流串联负反馈 d、电流并联负反馈 8、被称为“射极输出器”的电路,其主要特点为( )。 a、输入电阻小,输出电阻小 b 、输入电阻小,输出电阻大 c、输入电阻大,输出电阻小 d、输入电阻大,输出电阻大 9、电路中常用的“分压式偏置电路”又称“分压式工作点稳定电路”其电路主要是 引入了( )来稳定静态工作点的。 a、交流负反馈 b 、交流正反馈 c、直流负反馈 d、直流正反馈 10、集成运算放大器工作在线性区时,其外部电路采用( )是必要条件。 a、正反馈 b 、负反馈 c、开环 d、接有RC 串并联反馈网络 11、通用型集成运算放大器的输入级大多采用( )电路。 a、输入电阻高的共集放大电路 b 、放大倍数高的共射放大电路 c、分压式工作点稳定电路 d、共模抑制比高的差动放大电路 12、当功率放大电路的功放管的Q

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