MOS绝缘栅型场效应管之图解.pdfVIP

。 绝缘栅型场效应管之图解 绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的 器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下iD。 1. 结构和符号（以N沟道增强型为例） 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并 引出一个电极作为栅极。 N沟道绝缘栅型场效应管结构动画 其他MOS管符号 。 1 。 2. 工作原理（以N 沟道增强型为例） (1) VGS=0时，不管VDS 极性如何，其中总有一个PN 结反偏，所以不存在导电沟道。 VGS =0， ID =0 VGS 必须大于0 管子才能工作。 (2)VGS0 时， Sio2 介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P 区多子空穴而吸引少子电子。当 VGS 达到一定值时P 区表面将形成反型层把两侧的N 区沟通，形成导电沟道。 VGS 0→g 吸引电子→反型层→导电沟道 VGS ↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID ↑ 。 2 。 (3) VGS≥VT 时而VDS 较小时：VDS ↑→ID ↑ VT：开启电压，在VDS 作用下开始导电时的VGS°，VT = VGS —VDS (4) VGS0且VDS 增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。 VDS ↑→ID 不变 。 3 。 3、NMOS和PMOS 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生 二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 3.1．导通特性 NMOS 的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V 或10V就可以了。 PMOS 的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 。 4 。 3.2．MOS 开关管损失 不管是NMOS 还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能 量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右， 几毫欧的也有。 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个 上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是电