光刻与刻蚀工艺.pptVIP

9）坚膜 Hard Bake 10）图形检测 Pattern Inspection 光刻工艺 Photolithography Process 第30页，共73页，2022年，5月20日，3点36分，星期一 8.2 分辨率 分辨率R－表征光刻精度 光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。（或最细线条尺寸） 若可分辨的最小线宽为L（线条间隔也L），则 R＝1/(2L) (mm-1) 或 R=K1λ/NA（μm）---投影式曝光 K1-系统常数, λ-波长, NA-数值孔径（凸镜收集衍射光的能力） 1.影响R的主要因素： ①曝光系统（光刻机）：如X射线（电子束）的R高于紫外光。 ②光刻胶：正胶的R高于负胶； ③其他：掩模版、衬底、显影、工艺、操作者等。 第31页，共73页，2022年，5月20日，3点36分，星期一 表1 影响光刻工艺效果的一些参数 第32页，共73页，2022年，5月20日，3点36分，星期一 8.2 分辨率 2.衍射对R的限制 设一任意粒子（光子、电子），根据不确定关系，有 ΔLΔp≥h 粒子束动量的最大变化为Δp=2