材料现代研究方法课件-X射线光电子能谱分析.pptVIP

辐射交联 在芳香族化合物中，由于芳环中存在着共轭?电子体系，当碳原子的内层电子光发射时，价电子的电位受到突然改变会向更高的未占有空轨道跃迁? - ?*跃迁 －－－振激峰。 振激峰的相对强度随辐射剂量的增加而明显的下降。 例如聚苯乙烯 振激峰的相对强度就是聚苯乙烯体系?电子共轭效应强弱的表征。当交联体系的?电子共轭效应减弱，则相应的振激峰强度下降，交联度越高，下降越明显，因此可以用振激峰的相对强度来表征聚苯乙烯的交联度。 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 * （5）特征能量损失谱 部分光电子在离开样品受激区域并逃离固体表面的过程中，有可能与表面其他电子相互作用而损失一定的能量，从而在XPS低动能侧出现一些不连续的伴峰，即特征能量损失峰。 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 （6）俄歇谱线 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 * XPS谱图中，俄歇电子峰的出现增加了谱图的复杂程度。由于俄歇电子的能量同激发源能量大小无关，而光电子的动能将随激发源能量增加而增加，因此利用双阳极激发源很容易将其分开，可进行定性分析；由于化学位移比较大，便于进行化学态的分析。 状态变化 光电子位移/eV 俄歇位移/eV Cu-Cu2O 0.1 2.3 Zn-ZnO 0.8 4.6 Mg-MgO 0.4 6.4 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 3. 定性分析 利用污染碳的C1s扣除荷电。 标示总是出现的谱线：C1s、CKLL、O1s、OKLL等 利用结合能数值，标示最强线，并找出匹配的其它光电子线和俄歇线群。 标识剩下的谱线。 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 一、基本原理 二、实验技术 三、谱图分析 四、实际应用 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 XPS是一种非破坏性性的表面分析手段。灵敏度在0.1%左右。是一种微量分析技术，对痕量分析效果较差。 XPS可以对许多元素进行定性、半定量和定量分析，特别适合于分析原子的价态和化合物的 结构。是最有效的元素定性分析方法之一，原则上可以鉴定周期表中除氢之外的所有元素。 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 1、表面全元素分析 2、元素窄区谱分析 3、材料表面不同元素之间的定量分析 4、深度分析 元素深度分布 利用离子枪依次剥落表面 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 下图是一个多层膜的深度剖析图，画出膜结构 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 表面深度信息 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 xueyd1.spe: 1# A-SiN TJUC1 03 Nov 27 Mg std 250.0 W 0.0 45.0? 187.85 eV 3.7819e+005 max 1.83 min Sur1/Full/1 (Shft) 0 200 400 600 800 1000 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 x 10 5 xueyd1.spe Binding Energy (eV) c/s Atomic % N1s 40.2 Si2p 33.3 O1s 13.7 C1s 12.8 -C KLL -N KLL -N1s -C1s -Si2s -Si2p -O KLL -O2s -O1s 第12章 X射线光电子能谱分析 第3篇 xueyd3.spe: 2# B-SiN TJUC1 03 Nov 27 Mg std 250.0 W 0.0 45.0? 187.85 eV 3.7294e+005 max 1.83 min Sur1/Full/1 (Shft) 0 200 400 600 800 1000 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 x 10 5 xueyd3.spe Binding Energy (eV) c/s -C KLL -N KLL -N1s -C1s -Si2s -Si2p -O KLL -O2s -O1s Atomic % N1s