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上海晶准电子科技有限公司
内置MOSFET锂电池保护芯片 RB302B
概 述 特 性
RB302B是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置48 mΩ MOSFET
护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 SOT23-5封装
阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压, 3 内置过温保护
充电过流,放电过压,放电过流,过热,短 4 可耐9V充电器电压
路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效 5 两重过放电流检测保护
的工作。 6 超小静态电流和休眠电流
RB302B采用SOT23-5封装,外围只需要一个 A 静态工作电流为1.4 uA
电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安全 B 休眠电流为0.3 uA
可靠。 7符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品
应 用 典型应用图
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
自动激活问题
电阻R1阻值100Ω-1kΩ,电容C1 容值0-1uF,
接电芯后芯片能够自动激活,芯片正常工作。
封装和引脚
管脚 符号 管脚描述
1 NC NC
2 GND 芯片地,接电池芯负极
3 VDD 电源端
4,5 VM 充电器负电压接入端
订货信息
过充检 过充解 过放检 过放解 过流检
打印标
型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流
记
(V) (V) (V) (V) (A)
R302b
RB302B SOT23-5 4.30 4.15 2.45 3.00 3.8
xxxx
注意:打印标记的xxxx为字母和数字,用于产品批次识别
RB302B Rev.0.3 1/ 8
上海晶准电子科技有限公司
内置MOSFET锂电池保护芯片 RB302B
原理图
Figure 1. 原理图
绝对最大额定值
参 数 符 号 最小值 最大值 单 位
供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0
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