RB302B-锂电池保护芯片.pdf

上海晶准电子科技有限公司 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB302B 概 述 特 性 RB302B是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置48 mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 SOT23-5封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 可耐9V充电器电压 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5 两重过放电流检测保护 的工作。 6 超小静态电流和休眠电流 RB302B采用SOT23-5封装，外围只需要一个 A 静态工作电流为1.4 uA 电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全 B 休眠电流为0.3 uA 可靠。 7符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 应 用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 自动激活问题 电阻R1阻值100Ω-1kΩ，电容C1 容值0-1uF， 接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1 NC NC 2 GND 芯片地，接电池芯负极 3 VDD 电源端 4,5 VM 充电器负电压接入端 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R302b RB302B SOT23-5 4.30 4.15 2.45 3.00 3.8 xxxx 注意：打印标记的xxxx为字母和数字，用于产品批次识别 RB302B Rev.0.3 1/ 8 上海晶准电子科技有限公司 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB302B 原理图 Figure 1. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0