RB312A-锂电池保护芯片.pdf

内置MOSFET锂电池保护芯片 RB312A 概 述 特 性 RB312A是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置50 mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 SOT-23封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 可耐9V充电器电压 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5 两重过放电流检测保护 的工作。 6 超小静态电流和休眠电流 RB312A采用SOT-23封装，外围只需要一个 A 静态工作电流为1.4 uA 电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全 B 休眠电流为0.3 uA 可靠。 7符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 应 用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 自动激活问题 电阻R1阻值100Ω-1kΩ，电容C1 容值0-1uF， 接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1 VM 充电器或负载负电压接入端 2, VDD 电源端 3 GND 芯片地，接电池芯负极 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R312A RB312A SOT-23 4.30 4.12 2.45 3.0 3.8 xxxx 注意：打印标记的xxxx为字母和数字，用于产品批次识别。 RB312A Rev.0.4 Email: marketing@ 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB312A 原理图 Figure 1. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -8.0 11.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145 °C 结温