PN结形成过程及原理.docVIP

(完好版)PN结形成过程及原理 (完好版)PN结形成过程及原理 PAGE PAGE1 (完好版)PN结形成过程及原理 PAGE PN结的形成过程及原理 在一块完好的硅片上，用不一样的混杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边 形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面邻近就形成了PN结。PN结是组成 各样半导体器件的根基。 在P型半导体和N型半导体联合后，因为N型区内电子好多而空穴极少，而 型区内空穴好多电子极少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。 这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的 结果就使P区一边失掉空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失掉电子，留 下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不可以随意挪动，所以不参加导电。这些 不可以挪动的带电粒子在P和N区交界面邻近，形成了一个很薄的空间电荷区，就 是所谓的PN结。空间电荷区有时又称为耗尽区。扩散越强，空间电荷区越宽。 在出现了空间电荷区此后，因为正负电荷之间的互相作用，在空间电荷区就 形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。明显，这个电 场的方向与载流子扩散运动的方向相反，它是阻挡扩散的。 另一方面，这个电场将使N区的少量载流子空穴向P区漂移，使P区的少量 载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散