单晶材料的制备.pptxVIP

会计学;第六章 单晶材料的制备 ;§6.5 熔体生长法;一、熔体生长法的主要特点 ; 4.存在S—L、S—V、L—V平衡问题： 有较高蒸汽压或离解压的材料(例如GGG、GaAs等)， 存在挥发，成分偏离，会增加生长技术上的难度。 5. 生长结束后，降温中可能存在相变，如脱溶沉淀、 共析反应等。 结 论： 只有那些没有破坏性相变，又有较低的蒸汽压或离解压、同成分熔化的化合物或纯元素才是熔体生长的比较理想材料，可以获得高质量的单晶体。 ;二、熔体生长方法的分类;1. 坩埚移动法概述 埚坩移动法又称布里奇曼-斯托克巴杰法（B-S法），这种方法首先是由布里奇曼（Bridgman）提出的，后又经斯托克巴杰（Stockbarger）进一步改进和完善。 坩埚可垂直、水平放置。 移动生长界面的方式： ①炉子不动，坩埚移动； ②坩埚不动，炉子移动； ③坩埚和炉子不动，改变 温度。; 2. 坩埚下降法（垂直布里奇曼法）;为了提供一个合适的温度场，坩埚下降法所使用的结晶炉通常采用上下两部分组成，上部为高温区，原料在高温区中充分熔化；下部为低温区，为了造成有较大的温度梯度，除了上下部分采用分别的温度控制系统之外，还可以在上下区之间加一块散热板。如果炉体设计合理，就可以保证得到足够的温度梯度以满足晶体生长的需要