硅太阳电池制备工艺;制备工艺流程;硅片清洗与去损
去除表面损失和沾污
硅片制绒
形成表面陷光结构
碱制绒与酸制绒
;碱制绒;
酸制绒是各向同性腐蚀
使用HNO3和HF的混合液
单晶和多晶硅都适用
需要表面有缺陷和损伤
可以与H2O, H3PO4, H2SO4等混合使用;
一般使用CF4等离子体轰击表面
优点
低温,环境影响小
易单面制绒
硅片应力小
缺点
成本
当 λ 500 nm时,QE降低
;扩散方法
沉积磷源在硅片表面
高温加热
磷扩散到硅基体中
扩散过程需要折衷考虑的因素
蓝光响应(死层)
串联电阻
金属接触电阻
温度——杂质和应力等
吸杂
;边缘刻蚀
去除边缘PN结,防止上下短路
;;减反射膜;少子寿命较低的情况下,
寿命提高对电池效率的影响比较明显;低温快速热处理后, Si-SiNx界面态密度减少; 350-500℃,Si-H和N-H峰强均有下降;;在太阳电池背面丝网印刷铝浆
通过烧结
和p型硅形成良好的接触
形成铝背场
高低结电场
吸杂
;在太阳电池正面丝网印刷银浆,形成负电极
正面电极有主栅线和副栅线组成
;The End
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