工大模拟电子技术.pdfVIP

发射结加正偏时，从发射区将有大量 的电子向基区扩散，形成的电流为IEN 。 与PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为IEP 。这是因为发 射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低，被复合的机会较少。又因基区很薄， 在集电结反偏电压的作用下，电子在基区 停留的时间很短，很快就运动到了集电结 的边上，进入集电结的结电场区域，被集 电极所收集，形成集电极电流ICN 。在基区 被复合的电子形成的电流是 IBN 。 另外因集电结反偏， 使集电结区的少子形成 漂移电流ICBO 。于是可 得如下电流关系式: I = I + I 且有I I E EN EP EN EP + IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN + ICBO IB=IEP+ IBN －ICBO I +IBN