工艺之离子注入.pptVIP

第31页，共59页。 第32页，共59页。 第33页，共59页。 热退 P107 等时退火 Isochronal Annealing 等温退火 Isothermal Annealing 第34页，共59页。 第35页，共59页。 1）激活率(成活率)（%） Si：P、B?100%，As ?50% 2）临界通量?C(cm-2) F4.16 与注入离子种类、大小，能量有关 与注入时的衬底温度有关 第36页，共59页。 3）退火后的杂质再分布（P。111） 4）退火方式：“慢退火”，快速热退火 分步退火 5）退火完成的指标：电阻率、迁移率、少子寿命 第37页，共59页。 4.4.离子注入工艺中的一些问题 1。离子源：汽化?高压电离 多价问题 分子态—原子态问题 （产额问题） 2。选择性掺杂的掩膜 SiO2、Si3N4、光刻胶、各种金属膜 第38页，共59页。 P离子注入 Si SiO2 Si3N4 E (keV) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) 10 0.014 0.007 0.011 0.005 0.008 0.004 20 0.025 0.012 0.020 0.008 0.015 0.006 50 0.061 0.025 0.049 0.019 0.038 0.014 100 0.124 0.046 0.100 0.033 0.077 0.026 第39页，共59页。 有掩膜时的注入杂质分布 ？ 第40页，共59页。 Controlling Dopant Concentration and Depth a) Low dopant concentration (n–, p–) and shallow junction (xj) Mask Mask Silicon substrate xj Low energy Low dose Fast scan speed Beam scan Dopant ions Ion implanter b) High dopant concentration (n+, p+) and deep junction (xj) Beam scan High energy High dose Slow scan speed Mask Mask Silicon substrate xj Ion implanter Figure 17.5 第41页，共59页。 3。遮挡(注入阴影效应Implant Shadowing)（P119） 4. 硅片充电 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Ion beam 第42页，共59页。 第章工艺之离子注入 第1页，共59页。 问题的提出： 短沟道的形成？ GaAs等化合物半导体？（低温掺杂） 低表面浓度？ 浅结？ 纵向均匀分布或可控分布？ 大面积均匀掺杂？ 高纯或多离子掺杂？ 第2页，共59页。 要求掌握： 基本工艺流程（原理和工艺控制参数） 选择性掺杂的掩蔽膜（Mask） 质量控制和检测 后退火工艺的目的与方法 沟道效应 在器件工艺中的各种主要应用 离子注入技术的优缺点 剂量和射程在注入工艺中的重要性 离子注入系统的主要子系统 第3页，共59页。 CMOS Structure with Doped Regions n-channel Transistor p-channel Transistor LI oxide p– epitaxial layer p+ silicon substrate STI STI STI n+ p+ p-well n-well p+ p– p+ p– p+ n+ n– n+ n– n+ A B C E F D G H K L I J M N O n+ n n++ p+ p p++ 第4页，共59页。 第5页，共59页。 Ion Implant in Process Flow Implant Diffusion Test/Sort Etch Polish Photo Completed wafer Unpatterned wafer Wafer start Thin Films Wafer fabrication (front-end) Hard mask (oxide or nitride) Anneal after implant Photoresist mas