CN115159504A-碳纳米片材料、电极片及其制备方法.pdfVIP

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115159504 A (43)申请公布日 2022.10.11 (21)申请号 202210654405.1 B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2022.06.10 (71)申请人 四川大学 地址 610065 四川省成都市一环路南一段 24号 (72)发明人 吴振国　陈德权　郭孝东　宋扬　 钟本和　 (74)专利代理机构 成都知棋知识产权代理事务 所(普通合伙) 51325 专利代理师 马超前 (51)Int.Cl. C01B 32/15 (2017.01) H01M 4/133 (2010.01) H01M 4/587 (2010.01) H01M 10/054 (2010.01) 权利要求书1页 说明书12页 附图43页 (54)发明名称 碳纳米片材料、电极片及其制备方法 (57)摘要 本发明提供碳纳米片材料、电极片及其制备 方法，其中碳纳米片材料的制备方法，包括称取 鸟嘌呤置于坩埚中，并放入管式炉中进行煅烧， 煅烧氛围为氮气，煅烧温度为550‑1100℃，制得 ‑1 碳纳米片材料，煅烧升温速率为10℃min 。本发 明首次由低温制备的碳材料也可以表现出超高 的平台容量。 A 4 0 5 9 5 1 5 1 1 N C CN 115159504 A 权　利　要　求　书 1/1 页 1.碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，称取鸟嘌呤置于坩埚中，并放入管式炉中进 行煅烧，煅烧氛围为氮气，煅烧温度为550‑1100℃，制得碳纳米片材料，煅烧升温速率为10 ‑1 ℃min 。 2.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为550℃。 3.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为700℃。 4.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为800℃。 5.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为900℃。 6.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为1000℃。 7.根据权利要求1所述的碳纳米片材料的制备方法，其特征在于，煅烧温度为1100℃。 8.碳纳米片材料，其特征在于，由权利要求1‑7中任意一项权利要求的碳纳米片材料的 制备方法制得。 9.碳纳米片材料电极片，其特征在于，包括权利要求8中碳纳米片材料，活性物质、导电 ‑2 剂、粘结剂，碳纳米片材料上的活性物质负载量为0.8mgcm ，活性物质：导电剂：粘结剂的质 量比为8：1：1，导电剂为SuperP，粘结剂为CMC。 2 2 CN 115159504 A 说　明　书 1/12 页 碳纳米片材料、电极片及其制备方法 技术领域 [000