InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱.docx

1 引言 InGaAs材料由于在近红外波段具有光谱响应范围可调的独特优势,在条纹变像管、短波红外焦平面探测器、单光子探测器、光伏电池、量子阱激光器等器件的研制中具有重要的应用[1-5]。负电子亲和势光电阴极由于具有量子效率高、暗电流小、电子发射能量集中分布等优点,被广泛用于微光夜视、高能物理和空间遥感等领域[6-8]。在InGaAs光电阴极的制备工艺中,阴极表面需要经过适当的激活,通过降低表面势垒高度来达到负电子亲和势(NEA)状态,而表面的洁净程度是影响阴极激活成功与否的关键[9]。现阶段,InGaAs光电阴极表面净化工艺值得继续深入研究。阴极表面净化可以分为化学清洗和高温净化两步[10]。