摘要
采用水热合成法制备合金半导体材料Mo1-XWXS2(X为浓度),并应用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其形貌和晶体结构进行表征。实验结果表明,由SEM形貌测试发现,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2片状合金材料表面逐渐粗糙;由XRD晶体结构表征发现,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2的晶格常数逐渐增大;在合金材料的拉曼频移中,随着掺杂浓度的增加,Mo1-XWXS2中A1g振动模发生蓝移,而?E12gE2g1振动模发生红移。通过晶格结构和拉曼频移的检测和分析,证实水热合成法可制备不同浓度的Mo1-XWXS2合金半导体材料。本方法可进一步拓
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