佛山功率半导体器件 项目投资计划书_模板.docx

泓域咨询/佛山功率半导体器件 项目投资计划书  佛山功率半导体器件 项目 投资计划书 xxx投资管理公司  报告说明 IGBT为电压驱动型器件，耐压高，工作频率介于晶闸管和MOSFET之间，能耗低、散热小，器件稳定性高。在低压下MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；超过600V以上，IGBT的相对优势凸显，电压越高，IGBT优势越明显。IGBT在轨道交通、汽车电子、风力和光伏发电等高电压领域应用广泛。 根据谨慎财务估算，项目总投资6486.87万元，其中：建设投资5099.54万元，占项目总投资的78.61%；建设期利息70.73万元，占项目总投资的1.09%；流动资金13