半导体物理第六、七章习题答案.docVIP

第六章课后习题解析 1.一个Ge突变结的p区n区掺杂浓度分别为NA=1017cm-3和ND=51015cm-3，该pn结室温下的自建电势。 解：pn结的自建电势 已知室温下， eV，Ge的本征载流子密度 代入后算得： 4.证明反向饱和电流公式（6-35）可改写为 式中，和分别为n型和p型半导体电导率，为本征半导体电导率。 证明：将爱因斯坦关系式和代入式（6-35）得 因为，，上式可进一步改写为 又因为 即 将此结果代入原式即得证 注：严格说，迁移率与杂质浓度有关，因而同种载流子的迁移率在掺杂浓度不同的p区和n区中并不完全相同，因而所证关系只能说是一种近似。 2.试分析小注入时，电子（空穴）在5个区域中的运动情况（分析漂移和扩散的方向及相对大小） 答：正向小注入下，P区接电源正极，N区接电源负极，势垒高度降低，P区空穴注入N区，N区电子注入P区。 注入电子在P区与势垒区交界处堆积，浓度高于P区平衡空穴浓度，形成流向中性P区的扩散流，扩散过程中不断与中性P区漂移过来的空穴复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 注入空穴在N区与势垒区交界处堆积，浓度比N区平衡电子浓度高，形成浓度梯度，产生流向中性N区的空穴扩散流，扩散过程中不断与中性N区漂移过来的电子复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 3.在反向情况下坐上题。 答：反向小注入下，P区接电源负极，N区接电源正极，势垒区电场强度增加，空间