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模拟电路基础复习资料
一、填空题
在 P 型半导体中,多数载流子是（ 空隙 ),而少数载流子是（ 自由电子 ）．
在 N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ），而少数载流子是(空隙 ）. ３．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（N)区，电源的负极应接( P )区. 4.当ＰN 结正向偏置时,电源的正极应接( P ）区,电源的负极应接（ N ）区。
5．为了保证三极管工作在放大区,应使发射结(正向）偏置，集电结( 反向）偏置.
６．根据理论分析，ＰN 结的伏安特性为 I ? I
S
U
(e UT ? 1) ，其中 I
S
被称为（ 反向饱和 ）
电流，在室温下U T 约等于（ 2
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