模拟电路期末试卷及答案.docVIP

. PAGE . 模拟电子技术根底〔1〕期末试题 〔A卷〕参考答案及评分标准 一、填空〔每空1分，共20分〕 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结 反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的根本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，接成共基组态，接成共集组态，和的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，假设要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反响系统产生自激的条件是，相应的振幅条件是，相位条件是。 二、简答〔共3小题，每题5分，共15分〕 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 〔1〕判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极； 答：见图中标识〔判断NPN管还是PNP管各1分，标出e，b，c极1分， 共3分