泓域咨询/宝鸡半导体设备研发项目可行性研究报告
报告说明
第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料,与其他半导体材料相比,第三代半导体材料的禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优势,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求,广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。2020年全球碳化硅器件的市场规模为11.84亿美元,预计2025年将增长至59.79亿美元,复合年增长率达38.25%。碳化硅器件市场的高速增长也将推动碳化硅单晶衬底的需求释放。
根据谨慎财务估算
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