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泓域咨询/延安功率半导体器件 项目可行性研究报告
报告说明
近年来，随着第三代宽禁带材料半导体迅速发展，SiC与GaN功率半导体器件的应用规模开始持续增长。相对于硅衬底，宽禁带材料半导体具有更大的禁带宽度，在单位尺寸上能获得更高的器件耐压，以宽禁带材料为衬底制作的功率半导体器件尺寸更小，在特定应用场景具有优势。但由于生产规模还相对较小，生产技术有待成熟，产品价格相对较高，其应用场景受到了一定的限制。
根据谨慎财务估算，项目总投资32754.97万元，其中：建设投资27575.06万元，占项目总投资的84.19%；建设期利息285.08万元，占项目总投资的0.87%；流动资金4894.83万元
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