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本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET器件，其元细胞结构包括栅极、源极、漏极、耐压层、缓冲阻挡层、半导体体区、半导体源区以及半导体衬底层，所述耐压层设于所述缓冲阻挡层的上方，在所述耐压层的左侧设置所述栅极，在所述耐压层的右侧设置所述半导体体区，所述半导体源区位于所述半导体体区内，在所述半导体体区还形成有沉降槽，在所述沉降槽内设置所述源极，且该源极还与所述半导体源区通过导体相连，所述半导体衬底层覆盖在所述缓冲阻挡层的下表面，在所述半导体衬底层的下表面覆盖导体形成所述漏极。其显著效果
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 217788402 U
(45)授权公告日 2022.11.11
(21)申请号 202221983262.0
(22)申请日 2022.07.29
(73)专利权人 杰平方半导体（上海）有限公司
地址
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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用户编号：8063122115000010
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