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半导体制造工艺流程 精心整理 半导体相关知识 本征材料：纯硅 9-10 个 250000Ω.cm3 N 型硅：掺入 V 族元素--磷 P、砷 As、锑 Sb P 型硅：掺入 III 族元素—镓 Ga、硼 B PN 结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称 WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）； 后段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 晶圆边缘检测系统 一、晶圆处理制程 晶圆与晶片的区别晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件，为各制程中所需技术最复 杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，有时可达数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 晶圆与晶片的区别 制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是