兰州射频前端芯片设计项目可行性研究报告（模板参考）.docx

下载文档

0
0
约9.28万字
约 196页
2022-11-24 发布于重庆
举报
版权申诉
保障服务

兰州射频前端芯片设计项目可行性研究报告（模板参考）.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

泓域咨询/兰州射频前端芯片设计项目可行性研究报告报告说明射频前端芯片与数字芯片不同，数字芯片主要依靠不断缩小线宽的制程实现技术升级，而射频电路的技术升级主要依靠新工艺和新材料的结合。第一代射频材料以硅（Si）为主要原料，工艺以RFCMOS为代表，包括Bulk-Si和SOI工艺；第二代射频材料以砷化镓（GaAs）为代表，在高频领域有着较好的性能，是目前射频芯片主流应用材料；第三代射频材料工艺以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表，其禁带宽度更宽，击穿电压更高，饱和电子速率更快，能承受更高的工作温度（热导率高）。根据谨慎财务估算，项目总投资4676.35万元，其中：建设投资3069.51