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泓域咨询/关于成立刻蚀设计公司商业计划书
关于成立刻蚀设计公司
商业计划书
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报告说明
在摩尔定律的推动下,晶体管集成度大幅提高,对应的集成电路线宽不断缩小,这直接导致集成电路制造工序愈为复杂。根据SEMI统计,20纳米工艺所需工序约为1,000道,而10纳米工艺和7纳米工艺所需工序已超过1,400道。尤其当线宽向10,7,5纳米甚至更小的方向升级,需要采用多重模板工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽,这使得刻蚀次数显著增加。据SEMI统计,20纳米工艺需要的刻蚀步骤约为50次,而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤则超过100次。逻辑制程中的刻蚀步骤数
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