电子技术教案-半导体存储器和可编程逻辑器件.docVIP

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  • 2022-11-26 发布于未知
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电子技术教案-半导体存储器和可编程逻辑器件.doc

PAGE 3 PAGE 13 半导体存储器和可编程逻辑器件 存储器和可编程逻辑器件属于大规模集成电路范畴。由于大规模集成电路集成度高,往往能将一个较复杂的逻辑部件或数字系统集成到一块芯片上,它的应用能有效地缩小设备体积、减轻设备重量、降低功耗、提高系统稳定性和可靠性,所以大规模数字集成电路应用得到飞速发展。 一、 随机存取存储器(RAM) 随机存取存储器是一种既可以存储数据又可以随机取出数据的存储器,即可读写的存储器。随机存取存储器有双极型晶体管存储器和MOS存储器之分。MOS随机存取存储器又可分为静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。RAM保存的数据具有易失性,一但失电,所保存的数据立即丢失。 RAM的电路结构与工作原理 1、RAM存储单元 存储单元是存储器的最基本细胞,他可以存放一位二进制数据。 (1)静态RAM存储单元 静态RAM中存储单元的结构如图8.1.1所示。虛线框内为六管SRAM存储单元,其中T1~T4构成基本RS触发器。T5、T6为本存储单元的控制门,由行选择线Xi控制。Xi=1,T5、T6导通,存储单元与位线接通;Xi=0,T5、T6截止,存储单元与位线隔离。T7、T8是一列存储单元的公共控制门,用于控制位线和数据线的连接状态,由列选择线Yj控制。显然,当位选信号Xi和列选信号Yj都为高电平,T5

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