光电检测技术与光纤基础：第三章 结型光电器件1.pptxVIP

1 3.3.2 硅光电三极管（集电结反偏，发射结正偏） 集成光电三极管： 2 3.3.3 硅光电三极管与硅光电二极管特性比较 1.光照特性 2.伏安特性 ①电流量级 ②零偏时电流 ③线性 ④电流放大 主要表现为4个方面： 3 3.温度特性 4.频率响应特性 有电流放大作用，所以光电三极管的光电流和暗电流都大的多，必要时可采用温控或电路补偿 主要取决于结电容Cj和负载电阻RL 时间常数小于0.1μs 时间常数长达5~10μs 取决于发射结电容C、RL和光生载流子的基区渡越时间 4 3.4 结型光电器件的放大电路 3.4.1 结型光电器件与放大三极管的连接 3.4.2 光电器件与集成运算放大器的连接 5 3.5 特殊结型光电二极管 3.5.1 象限探测器 缺点： ①由于表面分割，从而产生死区 ②若光斑落入一个象限，则无法判断输光斑的准确位置 ③受光强变化的影响，分辨率不高 每个区域相当于一个光电二极管 它们应有相同的转换效率 6 3.5.2 PIN型光电二极管 优点： ①耗尽层厚度变大，结电容变小，响应时间变小,最高可达0.1ns ②耗尽层厚度变大，增大了对光的吸收和光电转换区域 ③增加了对长波的吸收，提高了长波灵敏度，0.4~1.1μm ④可承受较高的反向偏压，线性范围变宽 1. 普通PIN型光电二极管 7 2. 特殊结构的PIN型光电二极管---光电位置传感器（PSD）