三极管的低频小信号模型课件.pptVIP

* * * * * 三极管的低频小信号模型 （１）模型的建立 （２）主要参数 （３）h参数 （４）h参数微变等效电路简化模型 (1)模型的建立 1.三极管可以用一个模型来代替。 2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。 3.小信号意味着三极管在线性条件下工作，微变也 具有线性同样的含义。 三极管的低频小信号模型如图03.16所示。 图 03.16 双极型三极管h参数模型 （2)模型中的主要参数 ①rbe——三极管的交流输入电阻 根据二极管的方程式 对于三极管的发射结 求发射结的动态电导，b?相当基区内一个点，b是基极。 re≈VT / iE re?Q≈VT /IEQ=26 (mV)/ IEQ ( mA) rbe?Q= rbb + rb?e ≈300 ?+(1+?) 26 / IEQ （03.11） ②?iB——输出电流源 表示三极管的电流放大作用。反映了三极管具有电流控制电流源CCCS的特性。 rb?e— re归算到基极回路的电阻。rbb?相当于基区的体电阻, 对于小功率三极管rbb? ≈300?，。 图03.17 h11和h12的意义 　h参数的物理含义见图03.17和图03.18。 图 03.18 h21和h22的意义 h参数都是小信号参数，即微变参数或交流