巴中功率半导体设计项目可行性研究报告.docx

泓域咨询/巴中功率半导体设计项目可行性研究报告  巴中功率半导体设计项目 可行性研究报告 xx集团有限公司  报告说明 硅材料因其具有单方向导电特性、热敏特性、光电特性、掺杂特性等优良性能，可以生长为大尺寸高纯度晶体，且储量丰富、价格低廉，故而成为全球应用最广泛、最重要的半导体衬底材料。在物理性能方面，硅氧化膜性能优异，与其它衬底材料相比，与硅晶格适配性好，器件稳定性好。目前全球半导体市场中，90%以上的芯片都是基于硅材料制造而成。 根据谨慎财务估算，项目总投资483.89万元，其中：建设投资281.01万元，占项目总投资的58.07%；建设期利息8.04万元，占项目总投资的1.66%；