湘西关于成立功率半导体器件 公司可行性报告.docx

泓域咨询/湘西关于成立功率半导体器件 公司可行性报告  湘西关于成立功率半导体器件 公司 可行性报告 xx有限责任公司  报告说明 近年来，随着第三代宽禁带材料半导体迅速发展，SiC与GaN功率半导体器件的应用规模开始持续增长。相对于硅衬底，宽禁带材料半导体具有更大的禁带宽度，在单位尺寸上能获得更高的器件耐压，以宽禁带材料为衬底制作的功率半导体器件尺寸更小，在特定应用场景具有优势。但由于生产规模还相对较小，生产技术有待成熟，产品价格相对较高，其应用场景受到了一定的限制。 xx有限责任公司主要由xx有限公司和xxx有限责任公司共同出资成立。其中：xx有限公司出资1107.00万元，占xx有